Diseñar un transistor desde cero implica comprender su estructura física, materiales semiconductores y principios eléctricos. A continuación te doy una guía básica para diseñar un **transistor bipolar de unión (BJT)**, el más clásico:
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### **1. Elección del tipo de transistor**
Decide si será:
* **NPN** (más común)
* **PNP**
Vamos con un **NPN**.
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### **2. Selección de material semiconductor**
* **Silicio (Si)**: el más común
* También puede ser **Germanio (Ge)** o **Silicio-Germanio (SiGe)** para aplicaciones especiales.
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### **3. Estructura básica del transistor NPN**
**Capas**:
1. **Emisor (N+)**: dopado fuertemente con electrones (donadores)
2. **Base (P)**: dopado ligeramente con huecos (aceptores)
3. **Colector (N)**: dopado moderadamente con electrones
```
Colector (N)
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| <-- unión PN
|
Base (P)
|
| <-- unión PN
|
Emisor (N+)
```
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### **4. Dimensiones típicas**
* Base: muy delgada (\~1 µm o menos)
* Emisor y colector: más gruesos (\~5-10 µm)
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### **5. Doping típico**
* **Emisor (N+)**: 10¹⁹ átomos/cm³
* **Base (P)**: 10¹⁷ átomos/cm³
* **Colector (N)**: 10¹⁶ átomos/cm³
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### **6. Fabricación**
* Se usan técnicas de **difusión**, **implantación iónica** y **oxidación térmica**
* La fabricación se realiza sobre una **oblea de silicio**
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### **7. Características eléctricas básicas**
* **Ganancia de corriente (beta)**: 50–300
* **Tensión de ruptura colector-base (BVceo)**: 20–60 V típicamente
* **Corriente máxima de colector (Ic max)**: depende del diseño, pero puede ir de mA a decenas de amperios
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¿Quieres que te haga un **diagrama esquemático**, o prefieres un diseño para simulación en software como LTSpice o Multisim?
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