Claro, aquí tienes un **paso a paso ampliado** sobre cómo se construye un transistor, especialmente enfocado en un **transistor BJT NPN**, que es un tipo muy común:
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### **1. Preparación del sustrato (wafer)**
* Se comienza con un **lingote cilíndrico de silicio monocristalino**, que se corta en láminas finas llamadas *wafers*.
* Estos wafers se **pulen químicamente** hasta que quedan perfectamente planos y limpios.
* Este silicio es generalmente **tipo N ligero**, sirviendo como base para el dopado posterior.
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### **2. Oxidación térmica**
* El wafer se coloca en un horno con oxígeno o vapor de agua a temperaturas de 900–1200 °C.
* Se forma una fina capa de **óxido de silicio (SiO₂)** en la superficie, que sirve como aislante y como máscara de protección para dopado selectivo.
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### **3. Aplicación de fotolitografía**
Este es el proceso clave para definir las zonas del transistor:
* Se recubre la oblea con una **resina fotosensible** (photoresist).
* Se expone a **luz ultravioleta** a través de una **máscara**, que tiene el patrón deseado (como una plantilla).
* La luz endurece selectivamente el photoresist. Las partes no endurecidas se disuelven con un revelador químico.
* Esto deja al descubierto áreas específicas del óxido para procesar.
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### **4. Grabado químico o físico**
* Se usan ácidos o plasma para **eliminar el SiO₂** expuesto en las zonas deseadas, creando **ventanas** donde el dopado podrá hacerse directamente sobre el silicio.
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### **5. Dopado iónico**
* Se introduce un gas dopante (por ejemplo, fósforo para tipo N o boro para tipo P) en las áreas abiertas.
* Este dopado puede hacerse por:
* **Difusión térmica:** el dopante se difunde en el silicio calentado.
* **Implantación iónica:** los átomos dopantes son acelerados en un campo eléctrico e "incrustados" en el silicio.
* Para un transistor NPN se dopan:
* **Base:** tipo P (ligeramente dopado)
* **Emisor:** tipo N (fuertemente dopado)
* **Colector:** tipo N (menos dopado que el emisor)
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### **6. Formación de contactos metálicos**
* Se elimina el photoresist restante.
* Se deposita una **capa metálica** (generalmente aluminio) por evaporación o sputtering.
* Se usa una nueva máscara y fotolitografía para **definir los contactos metálicos**: emisor, base y colector.
* Se realiza otro grabado para dejar sólo las conexiones deseadas.
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### **7. Pasivación y protección**
* Se añade una capa aislante para proteger el transistor del ambiente (humedad, polvo, etc.).
* Se pueden agregar más niveles de metal si se requiere una circuitería más compleja (en chips integrados).
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### **8. Corte y encapsulado**
* La oblea, que contiene **miles de transistores**, se corta con precisión mediante un láser o disco de diamante.
* Cada chip se **encapsula** en plástico o cerámica, y se le sueldan los pines.
* Finalmente, se realiza una prueba de calidad y funcionamiento.
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Este proceso ocurre en salas **limpias** (cleanrooms) donde el aire está filtrado y controlado, porque una partícula de polvo puede arruinar el dispositivo.
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¿Te gustaría ver un diagrama visual del proceso o un ejemplo práctico de cómo podrías replicar algo similar en casa, con materiales básicos?
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